[发明专利]具有光电响应性的可逆形状记忆材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910540387.2 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110256760B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 包睿莹;徐钊;杨鸣波;杨伟 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08K3/04 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功能高分子材料，具体涉及一种具有电和光的双重响应特性的可逆形状记忆材料及其制备方法和应用。本发明提供一种具有光电双重响应特性的可逆形状记忆材料，所述材料为具有隔离结构的聚合物基导电复合材料，其中，所述聚合物为具有宽熔程的半晶聚合物，即所述聚合物的熔程区间温度≥20℃，熔程区间温度＝终熔温度‑初熔温度。本发明通过物理共混后再经热压成型和赋形并冷却定型可制备得到具有电和光的双重响应特性的可逆形状记忆材料，制备方法简单；在材料内部构建导电填料的隔离结构从而获得优异的导电性能；隔离网络的导电填料不会影响可逆形状记忆聚合物分子链的运动，使得其作为驱动器仍能保持优异的驱动性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 光电 响应 可逆 形状 记忆 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有光电双重响应特性的可逆形状记忆材料，其特征在于，所述材料为具有隔离结构的聚合物基导电复合材料，其中，所述聚合物为具有宽熔程的半晶聚合物，即所述聚合物的熔程区间温度≥20℃，熔程区间温度＝终熔温度‑初熔温度。
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