[发明专利]一种带有沟槽电极的高压二极管在审
| 申请号： | 201910540911.6 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110137268A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种带有沟槽电极的高压二极管。本发明通过在有源区引入沟槽结构并在沟槽侧壁形成肖特基接触阳极，在保证高反向击穿电压和低漏电流的情况下，增大正向导通时的电流密度，大大降低了产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压二极管 沟槽电极 反向击穿电压 肖特基接触 产品成本 阳极 沟槽侧壁 沟槽结构 正向导通 漏电流 源区 引入 保证 | ||
【主权项】：
1.一种带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，包括：底部电极层（001），重掺杂第一导电类型半导体材料层（002），轻掺杂第一导电类型半导体材料层（003），从表面伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层（003）的沟槽结构（004）；所述沟槽结构（004）的侧壁处，设有顶部电极层（005）与轻掺杂第一导电类型半导体材料层（003）的接触界面；所述沟槽结构（004）的底部设有第二导电类型注入区（006）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于派恩杰半导体（杭州）有限公司，未经派恩杰半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910540911.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
