[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供在接触孔形成金属插塞时能防止硅基板被蚀刻的半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法中，在第1导电型的第1半导体层(1)的一个表面形成栅极绝缘膜(8)，在第1半导体层的一个表面的表面层形成第2导电型的第2半导体层(5)，在栅极绝缘膜上形成栅电极(9)，选择性地除去栅极绝缘膜，通过在氧气氛中进行热处理，从而在第2半导体层的表面形成热氧化膜(13)，在第2半导体层(5)的表面层选择性地形成第1导电型的第3半导体层(6)，在热氧化膜上形成层间绝缘膜，将热氧化膜、层间绝缘膜选择性地开口而形成接触孔，形成覆盖接触孔的势垒金属，通过使用了金属卤化物的CVD法在势垒金属内埋入金属插塞。