[发明专利]曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质在审
| 申请号： | 201910541162.9 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN111007702A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李茂松;李承润 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质。可通过检测半导体晶圆结构上的对准标记来计算多个模型函数。可通过使用向模型函数的每个基函数分配不同权重的权重函数对模型函数进行组合来确定组合模型函数。因此，即使当对准标记或套准标记的不对称性对晶圆上的水平位置具有高度依赖性时，也确保了曝光工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 半导体 结构 方法 设备 暂时性 计算机 可读 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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