[发明专利]一种多量子阱结构、LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910541344.6 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110335923A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 柳颜欣;马旺;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨先凯 |
| 地址： | 261061*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种多量子阱结构，为9层的上下层叠加结构，9层按照从下往上的顺序依次为GaN势垒层、AlGaN势垒层、GaN势垒层、InGaN势阱层、低温InGaN势阱层、InGaN势阱层、GaN势垒层、AlGaN势垒层、GaN势垒层；本申请还提供了一种LED外延片；本申请还提供了一种LED外延片的制备方法；本发明能够有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，AlGaN势垒层能有效加强对电子的阻挡，低温InGaN势阱层能够提高空穴和电子注入有源区效率和辐射复合效率，从根本上提高晶体质量和内量子效率，从而提高器件性能，将有源区的出光效率提高了37％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 势阱层 多量子阱结构 源区 制备 申请 空穴 辐射复合效率 内量子效率 出光效率 电子注入 叠加结构 器件性能 有效加强 上下层 阻挡 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱结构，其特征在于，为9层的上下层叠加结构，9层按照从下往上的顺序依次生长；第一层为GaN势垒层，第二层为AlGaN势垒层，第三层为GaN势垒层，第四层为InGaN势阱层，第五层为低温InGaN势阱层，第六层为InGaN势阱层，第七层为GaN势垒层，第八层为AlGaN势垒层，第九层为GaN势垒层；第一层、第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层、第九层按照从下到上的顺序依次层叠布置。
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