[发明专利]NAND存储器的字线制作方法及包括其制作的字线的NAND存储器

摘要

本发明涉及NAND存储器的字线制作方法，涉及半导体集成电路的制作方法，在NAND存储器的字线制作过程中通过在字线边缘邻近选择管的核心层或侧墙处增加牺牲图形，使得实际字线图形并没有处于图形的最边缘，因此边缘字线图形的图像密度和中间字线图形的图像密度更加接近，在核心层刻蚀和侧墙刻蚀时，边缘字线的形貌和尺寸也就和中间区域更接近，使得最后刻蚀出来的字线均一性得到提高。

主权项

1.一种NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，包括：S1：在待刻蚀层上沉积一层核心层，采用字线掩模版曝光显影，由光刻胶形成多个字线图形，多个字线图形形成字线图形区域，并在字线图形区域的两侧分别由光刻胶形成牺牲图形，并牺牲图形的宽度与字线图形的宽度相等，牺牲图形与字线图形的间距、牺牲图形之间的间距以及字线图形之间的间距相等；S2：以步骤S1中的光刻胶为掩蔽膜进行核心层刻蚀，去除剩余光刻胶，形成字线核心层图形和牺牲核心层图形；S3：通过微缩工艺将字线核心层图形和牺牲核心层图形进行微缩；S4：进行侧墙沉积工艺，然后进行侧墙刻蚀工艺使字线核心层图形和牺牲核心层图形的两侧形成字线核心层图形侧墙和牺牲核心层图形侧墙；S5：去除核心层，形成字线侧墙和牺牲侧墙；以及S6：采用选择管掩模版曝光显影，使选择管光刻胶覆盖至少部分牺牲侧墙，然后，以选择管光刻胶和侧墙为掩蔽层，同时刻蚀待刻蚀层，以形成选择管和字线。