[发明专利]承载装置及工艺腔室有效
申请号: | 201910542006.4 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110265333B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 李萌 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C14/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种承载装置及工艺腔室,包括可升降的基座、至少三个可升降的顶针和托件,其中,基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置,在其中设置有供顶针穿过且贯穿其厚度的通孔,托件的数量与通孔的数量相同,且一一对应的安装在各个通孔中,并能够相对基座升降,以在基座位于传片位置时,被顶针托起上升至第一位置,在第一位置时,托件的上表面高于基座的上表面,用于承载晶片;在基座自传片位置上升至工艺位置时,被基座托起上升至第二位置,在第二位置时,托件的上表面不高于基座的上表面。本发明提供的承载装置及工艺腔室,能够便于对托件进行拆装与维护,并能够减少基座的散热,提高晶片的加热均匀性,提高晶片的加工效果。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种承载装置,包括可升降的基座和至少三个可升降的顶针,所述基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置,且在所述基座中设置有供所述顶针穿过且贯穿其厚度的通孔,且所述通孔与所述顶针一一对应设置,其特征在于,所述承载装置还包括托件,所述托件的数量与所述通孔的数量相同,且一一对应的安装在各个所述通孔中,并且所述托件能够相对于所述基座升降,以在所述基座位于所述传片位置时,能够被所述顶针托起并上升至第一位置,且在所述第一位置时,所述托件的上表面高于所述基座的上表面,用于承载晶片;在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置时,能够被所述基座托起并上升至第二位置,且在所述第二位置时,所述托件的上表面不高于所述基座的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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