[发明专利]用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法在审
| 申请号： | 201910542390.8 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110158151A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;吴会旺;李胜华;刘英斌;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陈晓彦 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法，坩埚盖，包括盖体，所述盖体顶部设有空腔，所述空腔内设有调节体，所述调节体顶部设有提拉机构，所述提拉机构带动所述调节体运动。坩埚盖上设有空腔及调节体，在单晶生长阶段可以改变空腔的体积，进而来调节籽晶的径向及轴向温度梯度，从而实现调整晶体形貌，最终实现生长过程中对晶体应力的调节，抑制晶体早期相变，维持晶体稳定生长。使用本发明生长碳化硅晶体，能够实现不同阶段对保温的单独精确调节，减少了目前通用的单纯调整顶部保温毯带来的不稳定性，从而可以实现生长过程中温度梯度可控，进而实现对晶体外形的精确调节。 | ||
| 搜索关键词： | 调节体 坩埚盖 单晶生长 生长 碳化硅单晶 生长过程 提拉机构 空腔 坩埚 轴向温度梯度 碳化硅晶体 不稳定性 盖体顶部 晶体外形 晶体形貌 温度梯度 保温毯 通用的 盖体 可控 籽晶 保温 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅单晶生长的坩埚盖，其特征在于，包括盖体，所述盖体顶部设有空腔，所述空腔内设有调节体，所述调节体顶部设有提拉机构，所述提拉机构带动所述调节体运动。
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