[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910544186.X | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112117237A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区，且所述第一区和第二区沿第一方向排列；在所述衬底表面形成若干相互分立的伪栅极结构，且若干所述伪栅极结构沿第二方向平行排列，所述第二方向垂直于第一方向；在第二区上的伪栅极结构侧壁表面形成保护层；在第二区上的保护层侧壁表面形成第二侧墙，在第一区上的伪栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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