[发明专利]一种提升片内嵌入金刚石氮化镓晶体管热输运能力的工艺方法在审
| 申请号： | 201910546087.5 | 申请日： | 2019-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN110349924A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郭怀新;黄语恒;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/14;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升片内嵌入金刚石氮化镓晶体管热输运能力的工艺方法，包括：基于刻蚀技术初步实现片内散热区域的前期图形；利用ICP分步刻蚀技术实现对散热区内部刻蚀表面形貌的控制；引入高导热缓冲层材料进行刻蚀表面预生长技术；进行片内定向金刚石生长技术，实现其片内嵌入金刚石复合衬底的制备，最后进行氮化镓晶体管的制备。本发明利用刻蚀控制表面形貌和引入高导热缓冲层，提高其SiC衬底和金刚石散热区的界面质量，降低其界面热阻，近而达到提升片内嵌入金刚石氮化镓晶体管热输运能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 氮化镓晶体管 嵌入 输运 形貌 刻蚀表面 刻蚀技术 高导热 散热区 衬底 制备 缓冲层材料 金刚石生长 界面热阻 控制表面 散热区域 引入 缓冲层 刻蚀 复合 生长 | ||
【主权项】：
1.一种提升片内嵌入金刚石氮化镓晶体管热输运能力的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、基于光刻、电镀、刻蚀技术实现片内衬底散热区域的前期图形；步骤2、利用ICP分步刻蚀技术对片内衬底散热区内部刻蚀表面形貌；步骤3、采用蒸发或溅射技术，引入高导热缓冲层材料进行刻蚀表面预生长；步骤4、进行片内定向金刚石生长，实现其片内嵌入金刚石复合衬底的制备；步骤5、最后进行氮化镓晶体管的制备。
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