[发明专利]一种高后向受激布里渊散射增益的微纳结构片上光声波导有效

专利信息
申请号: 201910546910.2 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110261957B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 路元刚;周朗;马海霞;刘友文;徐锋;左敦稳 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: G02B6/10 分类号: G02B6/10;G02B6/122
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 戴朝荣
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种高后向受激布里渊散射增益的微纳结构片上光声波导,波导包括由硫化亚砷材料构成的波导芯,硅包覆层及二氧化硅衬底;波导芯制备在二氧化硅衬底上;波导芯的材料为硫化亚砷,剖面为矩形;在波导芯中心从上至下有一矩形通孔,通孔中为空气;硅包覆层在外部将波导芯与通孔上、下侧以及波导芯的左、右侧对称包覆,使波导芯中心形成一充满空气的矩形通孔。本发明通过在硫化亚砷材料上、下侧,左、右侧对称包覆硅包覆层,并在硫化亚砷材料中央开设一从上至下充满空气的矩形通孔,加强了微纳结构中特殊的光辐射压力、同时调控声模式位移场分布,有效提高了基于硫化亚砷‑硅复合材料二氧化硅片上微纳结构的后向受激布里渊散射增益。
搜索关键词: 一种 布里渊散射 增益 结构 上光 声波
【主权项】:
1.一种高后向受激布里渊散射增益的微纳结构片上光声波导,其特征在于,所述波导包括由硫化亚砷材料构成的波导芯(1),硅包覆层(2)及二氧化硅衬底(3);所述波导芯(1)制备在二氧化硅衬底(3)上;所述波导芯(1)的材料为硫化亚砷,剖面为矩形;在波导芯(1)中心从上至下开设有一矩形通孔(4),所述矩形通孔(4)中为空气;所述硅包覆层(2)在外部将波导芯(1)与矩形通孔(4)上、下侧以及波导芯(1)左、右侧对称包覆,使波导芯(1)中心形成一充满空气的矩形通孔,所述硅包覆层(2)的上、下侧包覆层厚度小于左、右侧包覆层厚度。
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