[发明专利]双分离栅存储器单元的编程电压产生电路有效
| 申请号： | 201910547264.1 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110322908B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双分离栅存储器单元的编程电压产生电路，为存储器单元的编程提供编程信号，所述编程信号包括字线信号、位线信号、第一控制栅极线信号、第二控制栅极线信号；所述字线信号连接到所述第二控制栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道；所述第一控制栅极线信号连接到所述第一控制栅极线并使所述第一栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道，所述第三控制栅极线信号连接到所述第三控制栅极线并使所述第三栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道；所述字线信号由多路输入的电压Vb，包括Vb0～Vbm，经过电压平均电路取得电压Vb0～Vbm的平均值作为字线编程电压，使字线编程电压实现了对存储器单元阈值电压的跟踪，增加了编程窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 存储器 单元 编程 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种双分离栅存储器单元的编程电压产生电路，其特征在于：双分离栅存储器单元包括：第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、源区和漏区；所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层、浮栅、第二栅介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第二栅介质层和多晶硅栅组成；所述第三栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层、浮栅、第二栅介质层和多晶硅控制栅叠加而成；由位于所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底组成沟道区；所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构排列在所述源区和所述漏区之间的所述沟道区表面上，由所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构共同控制所述沟道区表面的沟道的形成；所述第一栅极结构作为信息存储位，所述第三栅极结构作为导通栅极；所述第二栅极结构的多晶硅栅作为所述存储单元的选择栅；所述第一栅极结构的多晶硅栅连接到对应的第一控制栅极线，所述第二栅极结构的多晶硅栅连接到字线，所述第三栅极结构的多晶硅栅连接到对应的第二控制栅极线；所述源区、漏区分别引出形成位线；所述编程电压产生电路为所述存储器单元的编程提供编程信号，所述编程信号包括字线信号、位线信号、第一控制栅极线信号、第二控制栅极线信号；所述字线信号连接到所述第二控制栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道；所述第一控制栅极线信号连接到所述第一控制栅极线并使所述第一栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道，所述第三控制栅极线信号连接到所述第三控制栅极线并使所述第三栅极结构底部的所述沟道区表面形成沟道；所述字线信号由多路输入的电压Vb，包括Vb0～Vbm，经过电压平均电路取得电压Vb0～Vbm的平均值作为字线编程电压Vwlp；m为存储器单元的个数。
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