[发明专利]自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法在审
申请号: | 201910550109.5 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN110257903A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 王鑫;皇甫亚楠;杨志;周泽;王建平;王林;徐强;高润飞;谷守伟 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B15/26;C30B15/30;C30B29/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明提供一种自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法,包括以下步骤,S1:籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置;S2:籽晶慢速降至硅溶液液面处,籽晶与硅溶液液面接触;S3:测量装置测量籽晶的熔接直径,当熔接直径达到下限值时,停止下降。本发明的有益效果是采用工业相机时时对籽晶的熔接直径进行检测,根据籽晶的熔接直径进行下降,实现自动将籽晶降到硅溶液中,自动定位至原生籽晶处,可以极大的提高工作效率以及工作一致性,可以起到节约工时、降低成本的作用。 | ||
搜索关键词: | 籽晶 硅溶液 熔接 自动定位 籽晶处 测量装置 工业相机 工作效率 极限位置 液面接触 液面处 慢速 测量 检测 节约 | ||
【主权项】:
1.自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法,其特征在于:包括以下步骤,S1:籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置;S2:所述籽晶慢速降至所述硅溶液液面处,所述籽晶与所述硅溶液液面接触;S3:测量装置测量所述籽晶的熔接直径,当所述熔接直径达到下限值时,停止下降。
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