[发明专利]金属纳米光栅及其纳米压印制备方法和显示装置在审
| 申请号： | 201910550331.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110333565A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘凡成 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米光栅及其纳米压印制备方法和显示装置。通过干法刻蚀工艺刻蚀压印胶光栅沟槽内的残胶，平整又耐刻蚀的硬掩膜层能够保证压印胶掩膜层中不同厚度的残胶被去除干净，同时对具有不同刻蚀选择比的胶掩膜与硬掩膜之间的多次转移操作，在硬掩膜层耐刻蚀条件下，实现对胶层更高的刻蚀速率，可以较大程度提高纳米光栅图形的图像精细程度，获得较大深宽比的纳米光栅图形结构。本发明可控性好，可重复性操作，尤其适用于制作半导体光栅器件、光子晶体等纳米图形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 光栅 金属纳米 纳米光栅 纳米压印 显示装置 硬掩膜层 压印胶 残胶 制备 干法刻蚀工艺 纳米图形结构 半导体光栅 刻蚀选择比 光栅沟槽 光子晶体 可重复性 刻蚀条件 图形结构 胶掩膜 可控性 深宽比 掩膜层 硬掩膜 胶层 去除 平整 精细 图像 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米光栅的纳米压印制备方法，其特征在于，所述金属纳米光栅的纳米压印制备方法包括：步骤一，提供具有第一纳米压印图形的第一模板；步骤二，提供基片、位于所述基片上的金属层和位于所述金属层上的压印胶层；以及步骤三，根据所述第一模板对所述压印胶层进行压印，使得所述压印胶层形成与所述第一纳米压印图形相对应的纳米图案；步骤四，以所述纳米图案为掩模版对所述金属层进行刻蚀，以形成金属纳米光栅，其中包括在所述纳米图案上沉积第一掩膜层，根据所述第一掩膜层对所述金属层进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910550331.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
