[发明专利]一种MicroLED芯片的转移方法有效

专利信息
申请号: 201910551624.5 申请日: 2019-06-24
公开(公告)号: CN110335845B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 樊勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L33/62;H01L25/16
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种MicroLED芯片的转移方法,将ACF胶预先贴合于MicroLED晶圆上,再通过转移MicroLED芯片到TFT基板上,使MicroLED的电极与TFT的电极实现对位,再通过对压头的加热和压力实现,MicroLED的电极与TFT的电极的电性连接。本发明能有效节省ACF胶的使用量,提升ACF材料的利用率,避免材料浪费,避免由于TFT地形不平坦问题导致污染压头的现象。
搜索关键词: 一种 microled 芯片 转移 方法
【主权项】:
1.一种MicroLED芯片的转移方法,其特征在于:将ACF胶预先贴合于MicroLED晶圆上,再通过转移MicroLED芯片到TFT基板上,使MicroLED的电极与TFT的电极实现对位,再通过对压头的加热和压力实现,MicroLED的电极与TFT的电极的电性连接。
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