[发明专利]解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法

摘要

本发明公开了一种解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，包括：形成MOSFET结构；形成栅极侧墙；进行源漏极离子注入；采用SMT工艺沉积缓冲氧化层和高应力氮化硅层并进行退火；去除高应力氮化硅层和缓冲氧化层；去除侧墙氮化硅层；沉积SAB氧化层；生长SAB氮化硅层；进行SAB光刻和刻蚀工艺，形成新的侧墙氮化硅层，且新的侧墙氮化硅层比最初形成的侧墙氮化硅层薄；形成金属硅化物。本发明先去除栅极侧墙中的侧墙氮化硅层，再利用后续的自对准硅化物阻挡SAB层的形成和刻蚀工艺重新形成栅极侧墙的侧墙氮化硅层，栅极与栅极之间的间隔增大，大大增加了后续金属硅化物形成时的工艺窗口，解决了因工艺窗口不足在器件源漏极区域难以形成良好的金属硅化物的难题。

主权项

1.一种解决SRAM单元器件金属硅化物缺陷形成的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，形成MOSFET结构；步骤S2，形成栅极侧墙，所述栅极侧墙包括侧墙氮化硅层和侧墙氧化层，且所述侧墙氮化硅层位于所述侧墙氧化层外侧；步骤S3，进行源漏极离子注入；步骤S4，采用应力记忆技术工艺沉积缓冲氧化层和高应力氮化硅层，并进行退火；步骤S5，去除高应力氮化硅层和缓冲氧化层；步骤S6，去除侧墙氮化硅层；步骤S7，沉积SAB氧化层；步骤S8，生长SAB氮化硅层；步骤S9，进行SAB光刻和刻蚀工艺，形成新的侧墙氮化硅层，且所述新的侧墙氮化硅层厚度小于步骤S2中的侧墙氮化硅层厚度；步骤S10，形成金属硅化物。