[发明专利]一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法有效
申请号: | 201910552382.1 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110253161B | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 周俊;陈宁;黄河;倪经;邹延珂;郭韦;徐德超;林亚宁;陈彦 | 申请(专利权)人: | 西南应用磁学研究所 |
主分类号: | B23K26/382 | 分类号: | B23K26/382;B23K26/70 |
代理公司: | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人: | 杨晖琼 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法,微加工技术领域,其方法是将待通孔的旋磁铁氧体基片固定在夹具上,并通过夹具中的电阻丝对基片进行加热,然后再进行激光通孔,本发明在旋磁铁氧体基片激光通孔时,对基片进行加热,可有效降低大功率激光通孔时温差过大致使基片出现微裂纹或断裂发生,很好地解决了微波铁氧体隔离器成本高、可靠性低的问题;另外,由于对旋磁铁氧体基片进行加热处理,激光通孔时可采用比现有技术更高的激光功率,可达到快速通孔的目的,生产效率提升2倍以上,实现批量化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁铁 氧体基片 快速 激光 方法 | ||
【主权项】:
1.一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)固定:将待通孔的旋磁铁氧体基片固定在夹具上;(2)加热:对所述夹具中的电阻丝进行加热;(3)通孔:对所述待通孔的旋磁铁氧体基片进行激光通孔。
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