[发明专利]磁性存储单元及磁性存储器有效
| 申请号： | 201910552465.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133343B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 宫俊录;何世坤 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储单元，包括：底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的层叠结构，所述层叠结构包括依次堆叠设置的参考层、势垒层、自由层、非磁性隔离层以及相变层，其中，所述相变层根据相变温度在反铁磁相和铁磁相之间变化，当所述相变层为铁磁相时，为所述自由层提供偏置磁场，使得所述自由层磁化方向偏离与所述参考层磁化方向共线的方向；所述非磁性隔离层用于防止所述相变层和所述自由层产生磁耦合。本发明能够降低自由层的临界翻转电流。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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