[发明专利]三态门在审
| 申请号： | 201910552730.5 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110266305A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 沈孙园 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K19/094 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三态门。三态门包括一反相器、一与非门、一或非门、一PMOS管和一NMOS管。当三态门的输入端B为低电平时，输入端A为高电平或低电平时，一PMOS管的栅极为高电平，一NMOS管的栅极为低电平，三态门的输出端OUT为高阻态；当三态门的输入端B为高电平时，输入端A为低电平时，一PMOS管的栅极为高电平，一NMOS管的栅极为高电平，三态门的输出端OUT为低电平；三态门的输入端B为高电平时，输入端A为高电平时，一PMOS管的栅极为低电平，一NMOS管的栅极为低电平，三态门的输出端OUT为高电平。 | ||
| 搜索关键词： | 三态门 输入端 高电平 低电平 输出端 低电 高电 高阻态 或非门 与非门 相器 | ||
【主权项】：
1.三态门，其特征在于：包括一反相器、一与非门、一或非门、一PMOS管和一NMOS管；所述一反相器的输入接三态门的输入端B和所述一与非门的一输入端，输出端接所述一或非门的一输入端；所述一与非门的一输入端接三态门的输入端A和所述一或非门的一输入端，另一输入端接三态门的输入端B和所述一反相器的输入端，输出端接所述一PMOS管的栅极；所述一或非门的一输入端接三态门的输入端A和所述一与非门的一输入端，另一输入端接所述一反相器的输出端，输出端接所述一NMOS管的栅极；所述一PMOS管的栅极接所述一与非门的输出端，漏极接所述一NMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接电源电压VCC；所述一NMOS管的栅极接所述一或非门的输出端，漏极接所述一PMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接地。
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