[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910553241.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634865A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郑元根;李宪福;申忠桓;蔡荣锡;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/528;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 源图案 接触结构 源/漏区 栅电极 半导体器件 横向相邻 间隔物 侧壁 基板 横跨 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n基板，在其中具有有源图案；/n栅电极，横跨所述有源图案延伸；/n源/漏区，在所述有源图案上，横向邻近所述栅电极；和/n接触结构，包括：/n在所述源/漏区上的第一接触；/n在所述第一接触上的第二接触；和/n间隔物，在所述第一和第二接触的侧壁上，并具有与所述第二接触的上表面共面的上表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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