[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201910553458.2 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660841B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 郑鸿祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L27/092;H01L21/8228 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述了包含锗纳米层片的元件。本文亦描述了用于形成此类锗纳米层片的方法和包括此类锗纳米层片的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n接收一晶圆，该晶圆包括一基板上的一交替半导体层堆叠，该交替半导体层堆叠包括交替的多个第IV族半导体层和多个锗层；/n对该交替半导体层堆叠塑形，以形成一第一垫、一第二垫以及一窄部分，该窄部分在该第一垫和该第二垫之间；/n通过移除所述多个第IV族半导体层的该窄部分来形成多个锗纳米层片；以及/n沉积一介电质材料，该介电质材料围绕各该锗纳米层片中的至少一部分。/n
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