[发明专利]一种PERC电池背钝化结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910553483.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110473921A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵洪俊;宛正 | 申请（专利权）人： | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘妍妍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 224400 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种PERC电池背钝化结构及制备方法。包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；所述氧化铝层为PECVD法沉积；所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。本发明提供的PERC电池背钝化结构及制备方法显著提高开路电压和短路电流，极大地提高了电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅层 背钝化结构 氧化铝层 电池 衬底 晶硅 制备 复合 短路电流 多晶硅片 开路电压 依次层叠 转换效率 沉积 单晶 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述PERC电池背钝化结构包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；/n所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；/n所述氧化铝层为PECVD法沉积；/n所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；/n所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
