[发明专利]一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法有效

专利信息
申请号: 201910554252.1 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110265296B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 刘欢;赵雷;王文静 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘潇
地址: 100190 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法,属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂,而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境,在酸性环境中,固体MnO2表现出氧化性,与硅片接触可以将硅氧化,生成的SiO2被HF酸刻蚀,露出新的硅表面与固体MnO2接触,继续被氧化,随着反应进行,在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构,固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀,还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备,不需要使用贵金属,也不需要使用硝酸,即可得到反射率低的绒面。
搜索关键词: 一种 硅片 刻蚀 方法 表面 制备 反射 特定 图形
【主权项】:
1.一种硅片刻蚀的方法,其特征在于,以固体MnO2为氧化剂,在非氧化性混合酸溶液中对硅片进行刻蚀;所述非氧化性混合酸溶液中的酸包括HF和其他非氧化性酸。
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