[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质在审
申请号: | 201910555332.9 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110783243A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 高畑觉;布村一朗;饭田宰;关原仁;筒口和典;柴田仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质,其目的在于根据工艺的类别和/或要形成的膜种类变更移载室的气体环境。基板处理装置具备:进气阻尼器及进气扇,它们与向连接于进行基板处理的处理室的移载室吸入空气的进气口连通;非活性气体导入管的阀,该非活性气体导入管向移载室供给非活性气体;排气扇及排气阀,它们设于移载室;切换机构,其从将移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式;和控制机构,其通过对进气阻尼器及进气扇、非活性气体导入管的阀、和排气扇及排气阀分别进行控制来执行空气模式和吹扫模式中的某一模式。 | ||
搜索关键词: | 移载 非活性气体 气体环境 导入管 基板处理装置 进气阻尼器 空气模式 进气扇 排气阀 排气扇 吹扫 进气口 非活性气体环境 半导体器件 基板处理 空气环境 吸入空气 种类变更 连通 制造 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:/n进气阻尼器及进气扇,它们与向移载室吸入空气的进气口连通,该移载室连接于进行基板的处理的处理室;/n非活性气体导入管的阀,该非活性气体导入管向所述移载室供给非活性气体;/n排气扇及排气阀,它们设于所述移载室;/n切换机构,其从将所述移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式;和/n控制机构,其构成为通过对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制,来执行所述空气模式和所述吹扫模式中的某一模式。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造