[发明专利]一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910555777.7 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110400858A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李斌;龙会跃;成秋云;周奇瑞;罗志高 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa～2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层；采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa～0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层，完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点，不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜，同时能够减少衬底损伤，对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电氧化物薄膜 导电氧化物薄膜 制备 双层透明 电池 沉积 磁控溅射技术 压强 受光 背光 异质结电池 衬底损伤 转换效率 背光面 应用 | ||
【主权项】：
1.一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa～2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层；S2、采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa～0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层，完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南红太阳光电科技有限公司，未经湖南红太阳光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910555777.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于CIGS电池曲面加热的加热装置
- 下一篇：一种红外三极管芯片制造工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
