[发明专利]一种金属栅线的制备方法在审
| 申请号： | 201910555859.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110459620A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈涛 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0465 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅线的制备方法，包括：提供待互联的太阳能电池芯片，其中，电池芯片包括柔性衬底和设置在柔性衬底一侧的透明导电膜层；在透明导电膜层的上表面压覆宽度大于电池芯片宽度的离型膜；根据设定的栅线图案，对离型膜进行激光烧蚀，在离型膜上形成具有贯穿离型膜厚度的第一沟槽的栅线图案；穿过第一沟槽对透明导电膜层进行刻划，在透明导电膜层上形成第二沟槽，第二沟槽和与透明导电膜层正对的离型膜上的第一沟槽共线对齐且相连通；在第一沟槽和第二沟槽中同步沉积金属层，形成具有设定栅线图案的金属栅线。本发明采用激光埋栅的方法，提高了电池的可靠性和电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电膜层 离型膜 栅线图案 电池芯片 金属栅线 衬底 电池 太阳能电池芯片 沉积金属层 激光烧蚀 转换效率 对齐 上表面 共线 刻划 埋栅 压覆 正对 制备 激光 互联 穿过 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅线的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n提供待互联的太阳能电池芯片，其中，所述电池芯片包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底一侧的透明导电膜层；/n在所述透明导电膜层的上表面压覆宽度大于所述电池芯片宽度的离型膜；/n根据设定的栅线图案，对所述离型膜进行激光烧蚀，在所述离型膜上形成具有贯穿所述离型膜厚度的第一沟槽的栅线图案；/n穿过所述第一沟槽对所述透明导电膜层进行刻划，在所述透明导电膜层上形成第二沟槽，所述第二沟槽和与所述透明导电膜层正对的离型膜上的第一沟槽共线对齐且相连通；/n在所述第一沟槽和第二沟槽中同步沉积金属层，形成具有设定栅线图案的金属栅线。/n
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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