[发明专利]一种光伏电池的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910556205.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110289337B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘宏发;刘慧宇;谭晓彬;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 许青华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏电池的刻蚀方法，包括如下步骤：提供待刻蚀光伏电池，所述待刻蚀光伏电池包括铝层和N层，所述铝层和N层的界面之间存在Al‑Si的过渡层；采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，去除所述过渡层。本发明中，采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，加强物理刻蚀作用，去除金属与半导体结合的过渡层，以达到刻蚀PIN功能层的目的；本发明不用更换现有的刻蚀气体，也不用更换设备就能解决金属与半导体物质混合的过渡层，能够有效地缩短生产周期，提高生产效率，节省生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池的刻蚀方法，其特征在于，其包括如下步骤：提供待刻蚀光伏电池，所述待刻蚀光伏电池包括铝层和N层，所述铝层和N层的界面之间存在Al‑Si的过渡层；采用反应离子刻蚀技术，通过加大刻蚀功率和提高刻蚀气体流量，去除所述过渡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
