[发明专利]提高直拉单晶拉速的装置有效
| 申请号： | 201910556405.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110106547B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨;河野贵之 | 申请（专利权）人： | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高直拉单晶拉速的装置，属于单晶硅生产设备技术领域。包括导流筒及撤热组件，所述撤热组件安装于所述导流筒的上方，通过热辐射或者热传导的方式对所述导流筒进行降温。本发明技术方案实现在所述撤热组件远离单晶炉的热场的状态下，与固液界面发生热量交换，降低固液界面处温度，从而提高直拉单晶的拉速，提高直拉单晶拉速则大幅度节约的电耗。同时，由于所述撤热组件距离单晶炉热场较远，一则所述撤热组件受到热场的热应力有限，降低所述撤热组件泄漏概率，二则一旦泄漏发生，能够及时通过单晶炉内的氛围变化判断发现，及时停炉，降低事故率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 直拉单晶拉速 装置 | ||
【主权项】：
1.一种提高直拉单晶拉速的装置，其特征在于，包括导流筒及撤热组件，所述撤热组件安装于所述导流筒的上方，通过热辐射或者热传导的方式对所述导流筒进行降温。
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