[发明专利]IGBT模块内部的自制冷方法及装置有效
| 申请号： | 201910556415.X | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110289246B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张兴;樊傲然;王海东 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT模块内部的自制冷方法及装置，其中，方法包括：通过m对导线组成IGBT模块内部结构电流回路；在IGBT工作电流定向通过电流回路时，m对导线对在IGBT模块的内部吸热，并在IGBT模块的边缘放热，以将IGBT内部高温区的热量转移至IGBT模块表面。该方法克服了现有IGBT模块制冷手段无法直接降低其内部温度的缺点，且可以对IGBT和二极管芯片针对性冷却，在无额外功耗的情况下有效降低IGBT模块热点温度，提高IGBT模块工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 模块 内部 制冷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT模块内部的自制冷方法，其特征在于，包括：通过m对导线组成IGBT模块内部结构电流回路；控制IGBT工作电流定向通过所述电流回路，使所述m对导线对在IGBT模块的内部吸热，并在所述IGBT模块的边缘放热，以将IGBT内部高温区的热量转移至IGBT模块表面。
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