[发明专利]加速SOC内核读取指令的方法及系统在审

专利信息
申请号: 201910557167.0 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110297660A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 韩春 申请(专利权)人: 江苏沁恒股份有限公司
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 210012 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种加速SOC内核读取指令的方法及系统,包括如下步骤:S1、数据预处理,指令分析单元读出Flash单元中的指令进行分析,将跳转地址及该跳转地址中存放的数据建立数据库;S2、将S1中建立的数据库存储在FLASH单元中;S3、将S2中存储于FLASH单元的数据写入指令缓存单元;S4、指令跳转时,指令控制单元将目标地址传输到FLASH单元和指令缓存单元,在Flash单元读取指令等待时将指令缓存单元的数据传输到内核,直至从FLASH单元中读到数据后指令控制单元将FLASH单元中的数据传输到内核。本发明在内核读取指令的地址发生跳转时,使得内核无需等待周期即可得到指令数据,提高了MCU的运算和处理能力。
搜索关键词: 内核 读取指令 指令缓存单元 指令控制单元 数据传输 跳转地址 跳转 指令 数据写入指令 指令分析单元 数据库存储 数据预处理 等待周期 地址发生 缓存单元 目标地址 数据建立 指令数据 读出 运算 数据库 存储 传输 分析
【主权项】:
1.一种加速SOC内核读取指令的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、数据预处理,指令分析单元读出Flash单元中的指令进行分析,将跳转地址及该跳转地址中存放的数据建立数据库;S2、将S1中建立的数据库存储在FLASH单元中;S3、将S2中存储于FLASH单元的数据写入指令缓存单元;S4、指令跳转时,指令控制单元将目标地址传输到FLASH单元和指令缓存单元,在Flash单元读取指令等待时将指令缓存单元的数据传输到内核,直至从FLASH单元中读到数据后指令控制单元将FLASH单元中的数据传输到内核。
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