[发明专利]一种磁多层结构、磁性结器件和磁性随机存储装置及其辅助写入和直接读取方法有效
| 申请号： | 201910557396.2 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379917B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;林昊文;周雪;王蕾 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁多层结构、磁性结器件和磁性随机存储装置及其辅助写入和直接读取方法，包括：一电致磁性层和一绝缘辅助层；电致磁性层和绝缘辅助层组成层叠结构；绝缘辅助层中设置有若干微导电通道，微导电通道用于写入和读取电流的通过；绝缘辅助层的磁化方向垂直于层平面或平行于层平面；其中，在无电场时，电致磁性层处于顺磁状态；磁多层结构置于电场中，电致磁性层能够实现顺磁态和铁磁态的转变。在电场调控下，其中的电致磁性层由顺磁态转变为铁磁态，利用电致磁性层铁磁态同时与绝缘辅助层和磁性结的磁性自由层间的交换耦合作用辅助磁性自由层翻转，从而实现减小磁性自由层翻转所需要电流密度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 结构 磁性 器件 随机 存储 装置 及其 辅助 写入 直接 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁多层结构，其特征在于，用于电场辅助磁性自由层翻转，包括：一电致磁性层(31)和一绝缘辅助层(32)；所述电致磁性层(31)和所述绝缘辅助层(32)组成层叠结构；所述绝缘辅助层(32)中设置有若干微导电通道(38)，所述微导电通道(38)用于写入和读取电流的通过；所述绝缘辅助层(32)的磁化方向垂直于层平面或平行于层平面；其中，在无电场时，所述电致磁性层(31)处于顺磁状态；所述磁多层结构置于电场中，所述电致磁性层(31)能够实现顺磁态和铁磁态的转变。
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