[发明专利]电压调控的二硒化铼纳米片太赫兹偏振调制器件

摘要

本发明涉及超快太赫兹技术领域，为实现主动调控电控调制的偏振THz波的输出功率，调制度大，偏振敏感度高。本发明采取的技术方案是，基于ReSe2纳米片电压调控的太赫兹偏振调制器件，包括：ReSe2纳米片、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源、THz偏振器；所述的ReSe2纳米片为在玻璃基片上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备，形成单分子层或者少分子层的结构，其平面内Re链的方向标记为a轴，自然节理面方向标记为b轴。本发明主要应用于太赫兹偏振调制器件的设计制造场合。

主权项

1.一种电压调控的二硒化铼纳米片太赫兹偏振调制器件，其特征是，包括：ReSe₂纳米片、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源、THz偏振器；所述的ReSe₂纳米片为在玻璃基片上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备，形成单分子层或者少分子层的结构，其平面内Re链的方向标记为a轴，自然节理面方向标记为b轴；所述的附加电极材料可为掺锡氧化铟、金或银，施加电极方向为沿ReSe₂纳米片生物a轴方向；所述的主动控制直流电源为可编程直流电源，在附加电极之间施加电控所需的直流电压与任意波形；所述的线性偏振的THz源为任意THz发射器经过THz偏振器进行输出。