[发明专利]一种掩膜版及其制作方法有效
| 申请号： | 201910558964.0 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110347012B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 彭钊 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/54;G03F1/68;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种掩膜版及其制作方法，该掩膜版包括：基底，基底包括半透光区域；位于半透光区域上的半透光层，半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。通过这种方式，能够实现掩膜版半透光区域对曝光光线的选择性吸收，进而避免制作薄膜晶体管时半透光区域对应的光阻曝光均一性较差的问题，提高制作出的阵列基板的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基底，所述基底包括半透光区域；位于所述半透光区域上的半透光层，所述半透光层的材质为半导体材料，用于吸收具有预设波长的光。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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