[发明专利]一种疏水型六方氮化硼纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201910558992.2 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110182770B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 景录如;吴斌;崔益华;张春琪;黄现礼;夏智峰;马俊锋 | 申请（专利权）人： | 苏州太湖电工新材料股份有限公司;欧邦科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 向亚兰 |
| 地址： | 215214 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种疏水型六方氮化硼纳米片的制备方法，包括：1)将六方氮化硼进行表面羟基化改性制备羟基化六方氮化硼；2)将步骤1)制备的羟基化六方氮化硼进行冻融膨胀处理制备膨胀的羟基化六方氮化硼；3)将步骤2)制备的膨胀的羟基化六方氮化硼与式(Ⅰ)所示的化合物在第一溶剂中混合搅拌，得第一混合溶液，然后向所得的第一混合溶液中加入不饱和酸和/或不饱和酸酐、第二溶剂，反应，制成所述疏水型六方氮化硼纳米片； |
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| 搜索关键词： | 一种 疏水 型六方 氮化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种疏水型六方氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将六方氮化硼进行表面羟基化改性制备羟基化六方氮化硼；(2)将步骤(1)制备的羟基化六方氮化硼进行冻融膨胀处理制备膨胀的羟基化六方氮化硼；(3)将步骤(2)制备的膨胀的羟基化六方氮化硼与式(Ⅰ)所示的化合物在第一溶剂中混合搅拌，得第一混合溶液，然后向所得的第一混合溶液中加入不饱和酸和/或不饱和酸酐、第二溶剂，反应，制成所述疏水型六方氮化硼纳米片；![]()
其中，R为C1‑6的烷基。
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