[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201910559222.X | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660868B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 菅原祐太;田中优数;野寺伸武;松本隆夫 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛晓伟;陈海云 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：栅极，由基板支撑；栅极绝缘层，覆盖栅极；硅半导体层，设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域隔着栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层,以覆盖信道区域并露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层之上；源极,与第一区域电连接；以及漏极,与第二区域电连接，沟道区域的结晶性低于第一区域及第二区域的结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，由所述基板支撑；/n栅极绝缘层，覆盖所述栅极；/n硅半导体层，设置在所述栅极绝缘层上且具有结晶硅区域，所述结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于所述第一区域及所述第二区域之间的沟道区域，所述沟道区域、所述第一区域及所述第二区域隔着所述栅极绝缘层与所述栅极重叠；/n保护绝缘层，以覆盖所述沟道区域并露出所述第一区域及所述第二区域的方式配置在所述硅半导体层之上；/n源极，与所述第一区域电连接；以及/n漏极，与所述第二区域电连接，/n所述沟道区域的结晶性低于所述第一区域及所述第二区域的结晶性。/n
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