[发明专利]磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910560070.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110218972A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郑荣戌;刘红岩;王晓强;李明亚;余述劲;夏侯博文;陈坤;陈怡 | 申请（专利权）人： | 东北大学秦皇岛分校 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 066004 河北省秦*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法，包括如下步骤：(1)将基片进行表面处理；所述的基片材质为电子玻璃或柔性衬底材料，所述的柔性衬底材料选用聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或聚酰亚胺(PI)；(2)安装靶材，基片装入真空室；(3)抽真空后通入氩气，控制通入氩气的流量；对靶材进行预溅射清洗；(4)室温条件下，调节溅射电压和电流，开始磁控溅射，在基片上制成具有择优取向AZO光电薄膜。本发明的方法在保证性能的基础上，整个制备过程无需加热和后期热处理，简化制备工艺，降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 光电薄膜 择优取向 柔性衬底材料 氩气 原位制备 聚对萘二甲酸乙二醇酯 聚二甲基硅氧烷 简化制备工艺 热处理 电子玻璃 溅射电压 聚酰亚胺 室温条件 制备过程 抽真空 预溅射 真空室 靶材 对靶 加热 装入 清洗 保证 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将基片进行表面处理；所述的基片材质为电子玻璃或柔性衬底材料，所述的柔性衬底材料选用聚乙烯对苯二酸酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷或聚酰亚胺；(2)在射频磁控溅射设备上安装靶材，然后将表面处理后的基片装入射频磁控溅射设备的真空室；所述的靶材为AZO靶材，按质量百分比含Al2O32±0.5％，其余为ZnO；(3)对真空室抽真空至8×10‑4Pa以下，然后通入氩气，控制通入氩气的流量36～68sccm；通过调节射频磁控溅射设备的闸板阀，控制真空室内的氩气压力为0.8～1.2Pa，对靶材进行预溅射清洗，去除靶材表面的杂质，预溅射清洗时间5～15min；(4)在室温条件下，调节溅射电压1.52～1.75kV，电流110～120mA，保持氩气的流通量为36～68sccm；开始磁控溅射，时间20～30min，在基片上制成具有择优取向AZO光电薄膜。
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