[发明专利]用于半导体制造设备的气体管路控制装置有效
申请号: | 201910560512.6 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110289231B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 霍冬冬;蔡学权 | 申请(专利权)人: | 英特尔半导体(大连)有限公司;英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本公开提供了一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置,半导体制造设备包括处理气体供给管路、处理气体排出管路和保护气体供给管路,所述气体管路控制装置包括:保护气体供给阀,设置在保护气体供给管路中,被配置为在保护气体供给阀处于打开状态时,使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于连通状态,以向处理气体排出管路供给保护气体,以及在保护气体供给阀处于关断状态时,使得保护气体供给管路与处理气体排出管路处于非连通状态,以禁止向处理气体排出管路供给保护气体;以及第一控制开关,被配置为在接收到保护气体供给信号时,使保护气体供给阀处于打开状态,并且在未接收到保护气体供给信号时,使保护气体供给阀处于关断状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 设备 气体 管路 控制 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体制造设备的气体管路控制装置,所述半导体制造设备包括处理气体供给管路、处理气体排出管路和保护气体供给管路,所述气体管路控制装置包括:保护气体供给阀,设置在所述保护气体供给管路中,被配置为在所述保护气体供给阀处于打开状态时,使得所述保护气体供给管路与所述处理气体排出管路处于连通状态,以向所述处理气体排出管路供给保护气体,以及在所述保护气体供给阀处于关断状态时,使得所述保护气体供给管路与所述处理气体排出管路处于非连通状态,以禁止向所述处理气体排出管路供给保护气体;以及第一控制开关,与所述保护气体供给阀电连接,被配置为在接收到保护气体供给信号时,使得所述保护气体供给阀处于打开状态,并且在未接收到保护气体供给信号时,使得所述保护气体供给阀处于关断状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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