[发明专利]一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910560855.2 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110241398B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 欧阳求保;王超宇 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/455;C22C1/05;C22C1/10;C22C21/00;B22F9/04;B22F3/14
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 徐红银;赵楠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法,包括:S1,对石墨片的表面处理,清除表面杂质;S2,对石墨片表面进行进一步除杂和还原;S3,石墨烯的垂直生长:通入甲烷气体,为石墨烯生长提供所需的碳源,得到石墨片原位生长石墨烯复合碳材料;S4,将石墨片原位生长石墨烯复合碳材料与铝粉进行低能球磨以制备均匀混合的复合粉体;S5,将制备得到的复合粉体放入石墨模具中,经过真空热压烧结获得石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料。本发明制备的复合材料不仅在石墨片面内方向具有高导热性能,在石墨片的厚度方向也具有较高导热性能,且相较于原始天然石墨片增强的铝基复合材料,弯曲强度显著提升。
搜索关键词: 一种 石墨 原位 生长 增强 复合材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,包括:S1,对石墨片的表面处理,清除表面杂质;S2,对所述石墨片表面进一步除杂和还原:将所述石墨片在同时通入氩气、氢气的环境气氛中升温至设定温度,并进行保温;S3,石墨烯的垂直生长:通入甲烷气体,为所述石墨烯生长提供所需的碳源,得到石墨片原位生长石墨烯复合碳材料;S4,制备铝与石墨片原位生长石墨烯复合增强体的复合粉体:将S3得到的所述石墨片原位生长石墨烯复合碳材料与铝粉进行球磨以制备均匀混合的复合粉体;S5,制备石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料:将S4得到的所述复合粉体放入石墨模具中,经过真空热压烧结获得石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料。
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