[发明专利]一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201910560855.2 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110241398B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 欧阳求保;王超宇 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/455;C22C1/05;C22C1/10;C22C21/00;B22F9/04;B22F3/14 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银;赵楠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法,包括:S1,对石墨片的表面处理,清除表面杂质;S2,对石墨片表面进行进一步除杂和还原;S3,石墨烯的垂直生长:通入甲烷气体,为石墨烯生长提供所需的碳源,得到石墨片原位生长石墨烯复合碳材料;S4,将石墨片原位生长石墨烯复合碳材料与铝粉进行低能球磨以制备均匀混合的复合粉体;S5,将制备得到的复合粉体放入石墨模具中,经过真空热压烧结获得石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料。本发明制备的复合材料不仅在石墨片面内方向具有高导热性能,在石墨片的厚度方向也具有较高导热性能,且相较于原始天然石墨片增强的铝基复合材料,弯曲强度显著提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 原位 生长 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,包括:S1,对石墨片的表面处理,清除表面杂质;S2,对所述石墨片表面进一步除杂和还原:将所述石墨片在同时通入氩气、氢气的环境气氛中升温至设定温度,并进行保温;S3,石墨烯的垂直生长:通入甲烷气体,为所述石墨烯生长提供所需的碳源,得到石墨片原位生长石墨烯复合碳材料;S4,制备铝与石墨片原位生长石墨烯复合增强体的复合粉体:将S3得到的所述石墨片原位生长石墨烯复合碳材料与铝粉进行球磨以制备均匀混合的复合粉体;S5,制备石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料:将S4得到的所述复合粉体放入石墨模具中,经过真空热压烧结获得石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的