[发明专利]软误差恢复锁存器在审
| 申请号： | 201910562680.9 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110649919A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | A·M·韦杰蒂;A·亚恩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司;意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 荷兰斯*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及软误差恢复锁存器。提供了一种锁存器。锁存器包括多个存储节点，包括被配置为存储具有两个状态中的一个存储状态的数据位的多个数据存储节点、以及被配置为存储数据位的补码的多个互补数据存储节点。锁存器包括分别对应于多个存储节点的多个电源电压多依赖级。每个电源电压多依赖级具有耦合到存储节点的输出和分别耦合到多个存储节点中的至少两个其他存储节点的至少两个控制输入。电源电压多依赖级被配置为响应于分别存储在至少两个其他存储节点中的两个数据位的两个状态的变化，引起存储在存储节点中的数据位的状态从第一状态变为第二状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储节点 锁存器 电源电压 存储 耦合到 配置 数据存储节点 存储数据位 存储状态 互补数据 软误差 补码 输出 响应 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：/n第一锁存器，包括：/n多个存储节点，包括：/n多个数据存储节点，每个数据存储节点被配置为存储具有两种状态中的一种状态的数据位，所述两种状态包括第一状态和第二状态；以及/n多个互补数据存储节点，每个互补数据存储节点被配置为存储所述数据位的补码；以及/n多个第一电压多依赖级，分别对应于所述多个存储节点，每个第一电压多依赖级具有被耦合到所述多个存储节点中的相应存储节点的输出、以及分别被耦合到所述多个存储节点中的至少两个其他存储节点的至少两个控制输入，所述第一电压多依赖级被配置为响应于分别存储在所述至少两个其他存储节点中的两个数据位的两个状态的变化，引起存储在所述存储节点中的所述数据位的所述状态从所述第二状态变为所述第一状态。/n
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