[发明专利]三维存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201910563587.X | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110391251B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 姚兰;薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种三维存储器的形成方法，所述形成方法包括：沿遮罩层中的第一开口刻蚀堆叠结构，形成第一沟槽；在形成所述第一沟槽的同时，沿所述遮罩层中的第二开口刻蚀所述堆叠结构，形成第二沟槽；其中，所述第一沟槽的顶部开口宽度大于所述第二沟槽的顶部开口宽度，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：沿遮罩层中的第一开口刻蚀堆叠结构，形成第一沟槽；在形成所述第一沟槽的同时，沿所述遮罩层中的第二开口刻蚀所述堆叠结构，形成第二沟槽；其中，所述第一沟槽的顶部开口宽度大于所述第二沟槽的顶部开口宽度，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
