[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板

摘要

本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板，包括：在衬底上沉积第一金属层和栅极绝缘层后，沉积铟镓锌氧化物层；在铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜，沉积复合钝化膜的步骤包括：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的硅前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；形成氧化硅，持续通入预设时间的铝前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，形成氧化铝；重复预设次数的形成氧化硅和氧化铝层的步骤，得到复合钝化膜；在复合钝化膜的上方依次沉积第二金属层，绝缘层和透明电极层，形成薄膜晶体管。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上沉积第一金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上方沉积铟镓锌氧化物层；在所述铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜；以及在所述复合钝化膜的上方依次沉积第二金属层、绝缘层和透明电极层，形成薄膜晶体管；其中，所述在铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜的步骤包括：形成氧化硅层的步骤：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的硅前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；形成氧化铝层的步骤：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的铝前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；以及重复预设次数的形成氧化硅层和氧化铝层的步骤，得到氧化硅薄膜和氧化铝薄膜，形成复合钝化膜。