[发明专利]一种使用BCL3的硼扩工艺在审
| 申请号： | 201910564921.3 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110459643A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 顾成阳;李影;宛正 | 申请（专利权）人： | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/08;C30B31/18 |
| 代理公司： | 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董建林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 224400江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用BCL3的硼扩工艺，通源时间短、通入BCL3的流量小，且每两次通源之间插入一步吹扫步骤。缩短通源时间和降低BCL3流量可以显著改善PECVD后外观发灰问题，本发明采用少量多次的原则，且在每次通源后加入一步吹扫过程，既解决了PECVD后外观发灰问题，也保证了扩散源量充足。有效避免了因通源时间缩短和BCL3流量的降低导致扩散源量不足、扩散不充分、造成方阻偏大的缺陷，达到改善外观及提升电池效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散源 吹扫 电池效率 时间缩短 方阻 扩散 保证 | ||
【主权项】：
1.一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值后恒定不变；/nS2、升温至第一温度，进行沉积，往所述扩散炉内通源，即通入氮气、干氧和BCL3，BCL3的体积流量为70sccm；/nS3、升温至第二温度，停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，进行吹扫，吹扫过程中保持通入一定体积流量的氮气；第二温度高于所述第一温度；/nS4、循环步骤S2、S3若干次后，再进行一次步骤S2；/nS5、停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，将炉内温度升高，并保持恒温一段时间， 升温过程中保持通入一定体积流量的氮气；/nS6、升高炉内压力，通入氮气和干氧，氧化一段时间；/nS7、降温回压，并将所述晶体硅从所述扩散炉内取出。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阜宁苏民绿色能源科技有限公司，未经阜宁苏民绿色能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910564921.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钝化接触电池及其制备方法
- 下一篇：一种利用电注入设备修复电池片氧化的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
