[发明专利]一种单刀单掷开关及单刀双掷开关在审
申请号: | 201910565541.1 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110350900A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 伍晶;张天;罗文玲;裘华英 | 申请(专利权)人: | 伍晶 |
主分类号: | H03K17/60 | 分类号: | H03K17/60;H03K17/687 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘凤玲 |
地址: | 610054 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种单刀单掷开关及单刀双掷开关。所述单刀单掷开关包括晶体管、电感和电容;晶体管的第一端与电感的一端连接,电感的另一端与电容的一端连接,电容的另一端与晶体管的第三端连接;晶体管的第二端与控制电压连接;当控制电压取高电平时晶体管导通,此时并联的电感和电容,在中心频率处形成并联谐振,开关处于关断状态。当控制电压取低电平时,此时晶体管关断,可等效为关断电容,关断电容和电感在中心频率处形成串联谐振,开关处于导通状态。可见,本发明的开关在处于导通状态时,本发明的晶体管的关断电容不但没有降低开关性能,反而作为串联谐振的一部分,提高了开关的性能,而且,晶体管串联在电路中,具有很强的功率处理能力。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 电感 电容 单刀单掷开关 关断电容 控制电压 单刀双掷开关 串联谐振 导通状态 一端连接 中心频率 功率处理能力 晶体管串联 晶体管导通 并联谐振 关断状态 开关性能 第一端 并联 低电 高电 关断 电路 | ||
【主权项】:
1.一种单刀单掷开关,其特征在于,所述单刀单掷开关包括晶体管、电感和电容;所述晶体管的第一端与所述电感的一端连接,所述电感的另一端与所述电容的一端连接,形成单刀单掷开关的输出端;所述电容的另一端与所述晶体管的第三端连接,形成单刀单掷开关的输入端;所述晶体管的第二端与控制电压连接;所述电容的电容值C、所述电感的电感值L与中心频率f0的关系为:所述晶体管的关断电容值COFF、所述电感的电感值L与中心频率f0的关系为:
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