[发明专利]一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法有效
申请号: | 201910566299.X | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110335919B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 王茜茜;职森森;翁航;刘晓瑞;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 朱磊 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种改善电池表面激光损伤的方法,尤其涉及一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法,属于光伏元件技术领域。本发明采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀液TMAH去除激光损伤层,既去除了激光掺杂后裸露的硅损伤层,又进一步形成氧化层对正面形成保护效果,保护正面在碱抛中的完整性,刻蚀速率适中使得工艺易控制,均匀性好,保留了绒面本身的微观结构,适用于产业化生产,该方法可以很好的去除激光损伤,并提高太阳电池转换效率,该方法切实有效,具有很好的实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 激光 玻璃 掺杂 电池 表面 损伤 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法,包括以下步骤:步骤一、制绒和清洗,去除表面损伤层并生成绒面;步骤二、低压扩散,采用低表面浓度、浅结扩散工艺;步骤三、激光掺杂;步骤四、修复表面激光损伤,对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理,去除电池表面的激光损伤后经过链式去除电池背面PSG,再进行槽式碱抛光;步骤五、正反镀膜,在电池背面沉积氧化铝钝化膜,电池正、背面分别镀氮化硅膜后印刷正、背电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏日托光伏科技股份有限公司,未经江苏日托光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910566299.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的