[发明专利]一种芯片封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910566686.3 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110349940B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 李俊;叶怀宇;刘旭;裴明月;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/98;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 李明
地址: 518051 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种芯片封装结构及其制作方法,包括相邻设置的第一芯片本体(42)、第二芯片本体(43),所述第一芯片本体(42)底面粘接有第一导电胶(40),所述第二芯片本体(43)顶面粘接有第二导电胶(41),所述第一导电胶(40)设置在第一导电层(20)上,第二导电层(21)设置在所述第二导电胶(41)上,所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)分别具有第一开口、第二开口,绝缘层(60)填充所述第一芯片本体(42)。本发明通过采用双层可分离材料可以实现芯片上下两面同时封装,从而使得本发明的技术方案可以实现双面散热,具有更优异的刚性结构、低阻特性和散热特性。
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种新型的芯片封装结构,其特征在于:包括相邻设置的第一芯片本体(42)、第二芯片本体(43),所述第一芯片本体(42)底面粘接有第一导电胶(40),所述第二芯片本体(43)顶面粘接有第二导电胶(41),所述第一导电胶(40)设置在第一导电层(20)上,第二导电层(21)设置在所述第二导电胶(41)上,所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)分别具有第一开口、第二开口,绝缘层(60)填充所述第一芯片本体(42)、所述第二芯片本体(43)、所述第一导电层(20)和所述第二导电层(21)之间的空隙,所述绝缘层(60)具有分别形成在所述第一芯片本体(42)、所述第二芯片本体(43)上以及所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)上的通孔,图案化的顶部金属化层(90)、底部金属化层(91)分别填充所述通孔并覆盖所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)表面,顶部绝缘层(110)、底部绝缘层(111)分别覆盖所述绝缘层(60)以及所述图案化的顶部金属化层(90)。
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