[发明专利]可变电阻存储器装置在审
申请号: | 201910567221.X | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110660822A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种可变电阻存储器装置,所述可变电阻存储器装置包括:第一导线,在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸;存储器单元,在第一导线的侧面上沿第一方向彼此隔开并连接到第一导线;以及第二导线,分别连接到存储器单元。每条第二导线在第二方向上与第一导线隔开。第二方向与基底的顶表面平行并且与第一方向交叉。第二导线在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸,并且在第一方向上彼此隔开。每个存储器单元包括可变电阻元件和选择元件,可变电阻元件和选择元件布置在同一水平处并且在第二方向上水平地布置。 | ||
搜索关键词: | 存储器单元 顶表面 隔开 基底 可变电阻存储器 可变电阻元件 选择元件 平行 方向交叉 同一水平 垂直的 延伸 平地 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种可变电阻存储器装置,所述可变电阻存储器装置包括:/n第一导线,位于基底上并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸;/n多个存储器单元,布置在第一导线的侧面处,在第一方向上彼此隔开,并且连接到第一导线;以及/n多条第二导线,分别连接到所述多个存储器单元,/n其中,所述多条第二导线在第二方向上与第一导线隔开,第二方向与基底的顶表面平行并且不同于第一方向,/n其中,所述多条第二导线中的每条在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸并且在第一方向上彼此隔开,并且/n其中,所述多个存储器单元中的每个包括可变电阻元件和选择元件,可变电阻元件和选择元件相对于基底的顶表面位于同一水平处并且在第二方向上水平布置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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