[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法在审
申请号: | 201910567608.5 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110190015A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 姜镕 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法,所述装置包括传送带,在传送带的输送方向上,依次设置第一清洗区、翻面区及第二清洗区,在第一清洗区,传送带的上方设有用于向传送带上的晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴,在第二清洗区,传送带的上方设有用于向晶圆的与第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴,在翻面区设置有用于将晶圆翻面的翻面机构。本发明通过喷嘴将清洗液喷射至晶圆表面,代替传统机械式清洗方式,可减少由此所产生的对晶圆表面的擦伤等,提高产品表面品质,且将现有晶圆批式清洗方法变更为单一晶片式方法,缩短清洗工程待机时间,缩短周期,提高生产性;通过双面清洗,提高清洗力度,提高品质和提高生产性。 | ||
搜索关键词: | 传送带 清洗区 晶圆 喷嘴 清洗 第一表面 晶圆表面 晶圆清洗 清洗装置 生产性 翻面 种晶 机械式清洗 喷射清洁剂 清洗液喷射 产品表面 第二表面 翻面机构 方法变更 双面清洗 依次设置 擦伤 清洗液 待机 片式 相背 喷射 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括用于承载及输送晶圆的传送带,在所述传送带的输送方向上,所述装置依次设置有:用于对所述晶圆的第一表面进行清洗的第一清洗区、用于将晶圆翻面的翻面区、及用于对所述晶圆的第二表面进行清洗的第二清洗区,其中,所述第一表面和所述第二表面为相背的两个表面,在所述第一清洗区,所述传送带的上方设有用于向所述传送带上的所述晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴,在所述第二清洗区,所述传送带的上方设有用于向所述晶圆的与所述第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴,在所述翻面区设置有用于将所述晶圆翻面的翻面机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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