[发明专利]可变电阻非易失性存储器装置

摘要

提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二侧上沿第二方向延伸。第一非易失性存储器单元位于第一导线的第一侧上，并结合到第二导线和第一导线，第一非易失性存储器单元包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极。第二非易失性存储器单元位于第一导线的第二侧上，并结合到第三导线和第一导线，第二非易失性存储器单元包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，第一序列和第二序列关于第一导线对称。

主权项

1.一种可变电阻非易失性存储器装置，所述可变电阻非易失性存储器装置包括：/n半导体基底；/n多条第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基底垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开；/n第二导线，在所述多条第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸；/n第三导线，在所述多条第一导线的与所述多条第一导线的第一侧相对的第二侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸；/n多个第一非易失性存储器单元，位于所述多条第一导线的第一侧上，并且每个第一非易失性存储器单元结合到第二导线和所述多条第一导线中的相应的第一导线，其中，所述多个第一非易失性存储器单元中的每个包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极；以及/n多个第二非易失性存储器单元，位于所述多条第一导线的第二侧上，并且每个第二非易失性存储器单元结合到第三导线和所述多条第一导线中的相应的第一导线，其中，所述多个第二非易失性存储器单元中的每个包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，其中，第一序列和第二序列关于所述多条第一导线彼此对称。/n