[发明专利]一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201910568545.5 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110460312A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 梁煜;党艳杰;张为 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/48;H03F1/56;H03G3/30
代理公司: 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 程毓英<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器,其特征在于:设有输入匹配级、噪声抵消级和输出匹配级,其中,所述输入匹配级包括:第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3);所述第一晶体管(M1)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端、输入信号(IN)和第四晶体管(M4)的栅极连接;所述第二晶体管(M2)的漏极与第一晶体管(M1)的漏极、第一电阻(R1)的第二端和第一电容(C1)的第一端连接;所述第二晶体管(M2)的源极与第三晶体管(M3)的漏极连接。所述噪声抵消级包括:第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6)。
搜索关键词: 晶体管 漏极 输入匹配级 噪声抵消 第一端 电阻 低噪声放大器 输出匹配级 输出阻抗 栅极连接 电容 宽带 源极
【主权项】:
1.一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器,其特征在于:设有输入匹配级、噪声抵消级和输出匹配级,其中,/n所述输入匹配级包括:第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3);所述第一晶体管(M1)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端、输入信号(IN)和第四晶体管(M4)的栅极连接;所述第二晶体管(M2)的漏极与第一晶体管(M1)的漏极、第一电阻(R1)的第二端和第一电容(C1)的第一端连接;所述第二晶体管(M2)的源极与第三晶体管(M3)的漏极连接。/n所述噪声抵消级包括:第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6);/n其中,所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接;所述第五晶体管(M5)的漏极与第二电容(C2)的第一端、第六晶体管(M6)的源极连接;所述第六晶体管(M6)的栅极与第一电容(C1)的第二端和第二电阻(R2)的第一端连接;/n所述输出匹配级包括:第七晶体管(M7)和第八晶体管(M8);所述第七晶体管(M7)的漏极与第八晶体管(M8)的源极和输出信号(OUT)连接;所述第八晶体管(M8)的栅极与第二电容(C2)的第二端和第三电阻(R3)的第一端连接。/n
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