[发明专利]金属线的去层方法以及器件缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201910568844.9 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN111430219B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 彭连举;魏家信 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属线的去层方法以及一种器件缺陷检测方法。所述金属线的去层方法中，待检测的金属线样品上的金属线经干法刻蚀工艺形成，为了成功去层，首先将样品浸入强碱性溶液，以去除样品表面由于干法刻蚀工艺而覆盖上的残留物，然后再将去除残留物后的金属线样品浸入强酸性溶液，以去除金属线的上层金属，从而获得去层后的金属线样品。利用上述去层方法，有助于加快去层的速度，由于去层后的金属线样品经过较为彻底的去层反应，因而更洁净，质量更高，便于进一步检测。所述器件缺陷检测方法包括上述金属线的去层方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 方法 以及 器件 缺陷 检测 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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